- MRAM全球创新论坛是行业内磁阻随机存取存储器（MRAM）技术的顶级平台，汇聚了来自业界和学术界的顶尖磁学专家与研究人员，共同分享MRAM的最新进展。今年已是第13届，这一为期一天的年度会议将于2025年12月11日IEEE国际电子器件会议（IEDM）之后的第二天，上午8：45至下午6点在旧金山联合广场希尔顿酒店帝国宴会厅A/B举行。2025年MRAM技术项目包括12场由全球顶尖MRAM专家邀请的演讲，以及一个晚间小组讨论。这些项目将聚焦于技术开发、产品开发、工具开发及其他探索性话题。MRAM技术是一种非
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MRAM 存储技术创新 2025 创新论坛
- 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布推出RA8M2和RA8D2微控制器（MCU）产品。全新MCU产品基于1GHz Arm® Cortex®-M85处理器（可选配250MHz Arm® Cortex®-M33处理器），以7300 CoreMark的原始计算性能刷新行业基准，实现业界卓越的计算效能。可选配的Cortex®-M33处理器有助于实现高效的系统分区和任务隔离。RA8M2与RA8D2同属RA8系列第二代超高性能MCU——RA8M2为通用型产品，RA8D2 MCU则集成多种高端图形外设。它们与瑞萨今
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瑞萨 MCU MRAM
- 据印度报业托拉斯报道，为大力推动电动汽车（EV）电池制造发展，特斯拉集团与SRAM & MRAM集团日前达成一项价值10亿美元的里程碑式合作协议。此次合作不仅计划在印度建设5座先进的电动汽车电池超级工厂，还将在包括美国、马来西亚、阿曼、巴西、阿联酋（UAE）和柬埔寨等另外15个国家部署生产网络。SRAM & MRAM集团董事长Sailesh L Hiranandani强调了此次合作的重大意义，他表示，双方将打造全球规模最大的电动汽车电池制造与储能供应链之一。这一举措体现了各方对可持续能源解
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特斯拉 SRAM & MRAM 电动汽车电池 超级工厂
- SRAM 广泛用于高性能处理器芯片的缓存。如果芯片无需访问外部存储器，其速度甚至可以更快。
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SRAM
- TSMC 将在欧洲建立其第一个设计中心，并正在寻求汽车应用内存技术的重大飞跃。欧盟设计中心 （EUDC） 将设在慕尼黑，预计将专注于汽车，但也将支持工业应用、人工智能 （AI）、电信和物联网 （IoT） 的芯片设计。考虑到这一点，台积电已对其 28nm 电阻式 RRAM 存储器进行了汽车应用认证，预计 12nm 版本将满足同样严格的汽车质量要求，并计划推出 6nm 版本。它还计划推出 5nm MRAM 磁性存储器。与 MRAM 一起，RRAM 是 16nm 以下工艺技术上闪存的关键替代品。台积电的 22
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台积电 5纳米 MRAM
- 在可编程逻辑器件领域，基于SRAM的FPGA经常被误解。这些FPGA具有极高的灵活性和可重新配置特性，是从消费电子到航空航天等各类应用的理想选择。此外，基于SRAM的FPGA还能带来高性能和低延迟，非常适合实时数据处理和高速通信等要求苛刻的任务。一个常见的误解是，基于SRAM的FPGA会因启动时间较长而不堪负荷。通常的说法是，由于其配置数据存储在片外，特别是在加密和需要验证的情况下，将这些信息加载到FPGA的过程就成了瓶颈。然而，对于许多基于SRAM的现代FPGA来说，这种观点并不成立，莱迪思Avant™
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SRAM FPGA 安全启动机制 莱迪思 Lattice
- 上周在 IEEE 国际固态电路会议 （ISSCC） 上，先进芯片制造领域最大的两个竞争对手 Intel 和 TSMC 详细介绍了使用其最新技术 Intel 18a 和 TSMC N2 构建的关键内存电路 SRAM 的功能.多年来，芯片制造商不断缩小电路规模的能力有所放缓，但缩小 SRAM 尤其困难，因为 SRAM 由大型存储单元阵列和支持电路组成。两家公司最密集封装的 SRAM 模块使用 0.02
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纳米晶体管 SRAM 英特尔 Synopsys TSMC 内存密度
- 在技术飞速发展的今天，新兴的航空电子、关键基础设施和汽车应用正在重新定义人们对现场可编程门阵列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠闪存来存储配置位流。这种方法适用于许多主流FPGA配置应用；然而，随着技术的进步以及对更高可靠性和性能的需求增加，人们需要更多样化的配置存储选项。这种转变的催化剂在于应用和行业的不同需求，它们目前正不断突破FPGA应用的极限，要求在数据完整性、系统耐用性和运行效率等方面更进一步。现代应用需要更先进的功能1.更高的耐用性和可靠性：高级驾驶辅助系统和先进的互连航空电子技术等应用
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闪存 MRAM FPGA 莱迪思
- 英特尔在国际固态电路会议 (ISSCC) 上公布了半导体制造领域的一些有趣进展，展示了备受期待的英特尔 18A
工艺技术的功能。演示重点介绍了 SRAM 位单元密度的显著改进。PowerVia 系统与 RibbonFET (GAA)
晶体管相结合，是英特尔节点的核心。该公司展示了其高性能 SRAM 单元的坚实进展，实现了从英特尔 3 的
0.03 µm² 减小到英特尔 18A 的 0.023 µm²。高密度单元也显示出类似的改进，缩小到 0.021 µm²。这些进步分别代表了
0.77 和
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英特尔 18A SRAM 台积电
- 不只是 imec，当下诸多研究机构纷纷表示，看好 MRAM。
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MRAM
- 大阪大学的研究人员介绍了一项创新技术，可以降低现代存储设备的功耗。
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磁阻RAM MRAM
- 自铠侠官网获悉，铠侠（Kioxia）宣布其多项创新研究成果，将于今年12月7日至11日在美国旧金山举行的IEEE国际电子器件大会（IEDM）上发表。声明中称，铠侠旨在不断创新以满足未来计算和存储系统的需求。此次发布包括以下三大创新技术：氧化物半导体通道晶体管DRAM（OCTRAM）：该技术由铠侠联合南亚科技共同开发，通过改进制造工艺，开发出一种垂直晶体管，提高了电路集成度。OCTRAM技术有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等领域具有广阔的应用前景。高容量交叉点MRAM（磁阻随机存取存储器
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铠侠 存储技术 DRAM MRAM 3D堆叠
- Source:Getty/kaptnal专注于磁阻随机存取存储器（MRAM）解决方案的美国企业Everspin Technologies日前宣布将与Lucid Motors合作，在Lucid即将推出的Gravity电动运动型多用途车中使用其PERSYST MRAM产品。Everspin旗下PERSYST产品线中的一款256Kb串行MRAM产品——MR25H256A，将被集成至Lucid的Gravity SUV车型中。Lucid之所以选择Everspin的MR25H256A MRAM型号，是因为它能够在较宽
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Everspin Lucid Motors MRAM Gravity SUV车型
- 1956 年，IBM 推出世界上第一个硬盘驱动器——RAMAC 305，可以存储 5MB 的数据，传输速度为 10K/s。虽然这款硬盘体积巨大如同两台冰箱，重量超过一吨，但是却标志着磁盘存储时代的开始。此后，随着科技的进步，内存技术逐渐发展。动态随机存取存储器（DRAM），具有较快的读写速度，能够满足计算机系统在运行过程中对数据的快速存取需求。固态硬盘（SSD）以其高速的读写性能、低功耗和抗震动等优点，逐渐取代传统磁盘成为主流存储设备之一。存储技术仍旧在持续发展，近年来新型存储技术如雨后春笋般涌现，诸如相
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磁变存储器 MRAM
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