随着静态随机存取存储器（SRAM）在先进工艺节点下难以持续微缩，整个半导体行业必须评估其对各类计算场景的冲击，而短期内暂无简易解决方案。核心要点每一代工艺节点微缩时，同等容量的 SRAM 所占芯片面积比例持续上升。该问题不仅局限于前沿 AI 芯片，最终将影响所有计算设备，甚至小型微控制器（MCU）与微处理器（MPU）。行业可能需要进行架构变革；在逻辑芯片上堆叠 SRAM 小芯片可行，但成本高昂。SRAM 是所有计算系统的核心组件，但其缩放进度已无法跟上逻辑电路的迭代速度，过去五年这一矛盾急剧恶化。早在 1
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内存墙
SRAM
全球首款 8 纳米 128 兆位嵌入式自旋转移矩磁随机存取(MRAM)存储器，相关研究成果收录于 2025 年国际电子器件会议磁随机存取存储器 / 阻变存储器专题论文集汽车技术的飞速发展，推动了市场对高可靠性、高性能半导体存储方案的需求持续攀升。现代汽车对高级驾驶辅助系统功能、复杂信息娱乐平台的依赖度日益提高，而这些系统均需要能在极端环境下稳定运行的存储器。在各类新兴存储技术中，嵌入式磁随机存取存储器凭借其非易失性、高耐久性以及高速读写的特性，成为极具潜力的优选方案。这款专为汽车应用打造的 8 纳米 12
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汽车存储器
8nm
128Mb
嵌入式
MRAM
本次技术突破有力推动了 SOT-MRAM 技术的发展及产业化进程。在 2025 年 12 月 13 日至 15 日召开的「第一届自旋芯片与技术研讨会」上，自旋芯片与技术全国重点实验室发布了全球首款单片容量达到 4 Mb 的全功能第三代 MRAM 芯片——SOT-MRAM 芯片，这也是全球第一款 Mb 容量的垂直磁化 SOT-MRAM 芯片。磁随机存取存储器（MRAM）是一种基于磁电阻效应的新型非易失性存储器，其最大特点是能同时兼具高速、低功耗、抗辐射、近乎无限的可重写次数、掉电信息不丢失等优势，
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SOT-MRAM
MRAM全球创新论坛是行业内磁阻随机存取存储器（MRAM）技术的顶级平台，汇聚了来自业界和学术界的顶尖磁学专家与研究人员，共同分享MRAM的最新进展。今年已是第13届，这一为期一天的年度会议将于2025年12月11日IEEE国际电子器件会议（IEDM）之后的第二天，上午8：45至下午6点在旧金山联合广场希尔顿酒店帝国宴会厅A/B举行。2025年MRAM技术项目包括12场由全球顶尖MRAM专家邀请的演讲，以及一个晚间小组讨论。这些项目将聚焦于技术开发、产品开发、工具开发及其他探索性话题。MRAM技术是一种非
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MRAM
存储技术创新
2025 创新论坛
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子近日宣布推出RA8M2和RA8D2微控制器（MCU）产品。全新MCU产品基于1GHz Arm® Cortex®-M85处理器（可选配250MHz Arm® Cortex®-M33处理器），以7300 CoreMark的原始计算性能刷新行业基准，实现业界卓越的计算效能。可选配的Cortex®-M33处理器有助于实现高效的系统分区和任务隔离。RA8M2与RA8D2同属RA8系列第二代超高性能MCU——RA8M2为通用型产品，RA8D2 MCU则集成多种高端图形外设。它们与瑞萨今
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瑞萨
MCU
MRAM
据印度报业托拉斯报道，为大力推动电动汽车（EV）电池制造发展，特斯拉集团与SRAM & MRAM集团日前达成一项价值10亿美元的里程碑式合作协议。此次合作不仅计划在印度建设5座先进的电动汽车电池超级工厂，还将在包括美国、马来西亚、阿曼、巴西、阿联酋（UAE）和柬埔寨等另外15个国家部署生产网络。SRAM & MRAM集团董事长Sailesh L Hiranandani强调了此次合作的重大意义，他表示，双方将打造全球规模最大的电动汽车电池制造与储能供应链之一。这一举措体现了各方对可持续能源解
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特斯拉
SRAM & MRAM
电动汽车电池
超级工厂
SRAM 广泛用于高性能处理器芯片的缓存。如果芯片无需访问外部存储器，其速度甚至可以更快。
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SRAM
TSMC 将在欧洲建立其第一个设计中心，并正在寻求汽车应用内存技术的重大飞跃。欧盟设计中心 （EUDC） 将设在慕尼黑，预计将专注于汽车，但也将支持工业应用、人工智能 （AI）、电信和物联网 （IoT） 的芯片设计。考虑到这一点，台积电已对其 28nm 电阻式 RRAM 存储器进行了汽车应用认证，预计 12nm 版本将满足同样严格的汽车质量要求，并计划推出 6nm 版本。它还计划推出 5nm MRAM 磁性存储器。与 MRAM 一起，RRAM 是 16nm 以下工艺技术上闪存的关键替代品。台积电的 22
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台积电
5纳米
MRAM
在可编程逻辑器件领域，基于SRAM的FPGA经常被误解。这些FPGA具有极高的灵活性和可重新配置特性，是从消费电子到航空航天等各类应用的理想选择。此外，基于SRAM的FPGA还能带来高性能和低延迟，非常适合实时数据处理和高速通信等要求苛刻的任务。一个常见的误解是，基于SRAM的FPGA会因启动时间较长而不堪负荷。通常的说法是，由于其配置数据存储在片外，特别是在加密和需要验证的情况下，将这些信息加载到FPGA的过程就成了瓶颈。然而，对于许多基于SRAM的现代FPGA来说，这种观点并不成立，莱迪思Avant™
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SRAM
FPGA
安全启动机制
莱迪思
Lattice
上周在 IEEE 国际固态电路会议 （ISSCC） 上，先进芯片制造领域最大的两个竞争对手 Intel 和 TSMC 详细介绍了使用其最新技术 Intel 18a 和 TSMC N2 构建的关键内存电路 SRAM 的功能.多年来，芯片制造商不断缩小电路规模的能力有所放缓，但缩小 SRAM 尤其困难，因为 SRAM 由大型存储单元阵列和支持电路组成。两家公司最密集封装的 SRAM 模块使用 0.02
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纳米晶体管
SRAM
英特尔
Synopsys
TSMC
内存密度
在技术飞速发展的今天，新兴的航空电子、关键基础设施和汽车应用正在重新定义人们对现场可编程门阵列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠闪存来存储配置位流。这种方法适用于许多主流FPGA配置应用；然而，随着技术的进步以及对更高可靠性和性能的需求增加，人们需要更多样化的配置存储选项。这种转变的催化剂在于应用和行业的不同需求，它们目前正不断突破FPGA应用的极限，要求在数据完整性、系统耐用性和运行效率等方面更进一步。现代应用需要更先进的功能1.更高的耐用性和可靠性：高级驾驶辅助系统和先进的互连航空电子技术等应用
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闪存
MRAM
FPGA
莱迪思
英特尔在国际固态电路会议 (ISSCC) 上公布了半导体制造领域的一些有趣进展，展示了备受期待的英特尔 18A
工艺技术的功能。演示重点介绍了 SRAM 位单元密度的显著改进。PowerVia 系统与 RibbonFET (GAA)
晶体管相结合，是英特尔节点的核心。该公司展示了其高性能 SRAM 单元的坚实进展，实现了从英特尔 3 的
0.03 µm² 减小到英特尔 18A 的 0.023 µm²。高密度单元也显示出类似的改进，缩小到 0.021 µm²。这些进步分别代表了
0.77 和
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英特尔
18A
SRAM
台积电
不只是 imec，当下诸多研究机构纷纷表示，看好 MRAM。
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MRAM
大阪大学的研究人员介绍了一项创新技术，可以降低现代存储设备的功耗。
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磁阻RAM
MRAM
自铠侠官网获悉，铠侠（Kioxia）宣布其多项创新研究成果，将于今年12月7日至11日在美国旧金山举行的IEEE国际电子器件大会（IEDM）上发表。声明中称，铠侠旨在不断创新以满足未来计算和存储系统的需求。此次发布包括以下三大创新技术：氧化物半导体通道晶体管DRAM（OCTRAM）：该技术由铠侠联合南亚科技共同开发，通过改进制造工艺，开发出一种垂直晶体管，提高了电路集成度。OCTRAM技术有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等领域具有广阔的应用前景。高容量交叉点MRAM（磁阻随机存取存储器
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铠侠
存储技术
DRAM
MRAM
3D堆叠
Source:Getty/kaptnal专注于磁阻随机存取存储器（MRAM）解决方案的美国企业Everspin Technologies日前宣布将与Lucid Motors合作，在Lucid即将推出的Gravity电动运动型多用途车中使用其PERSYST MRAM产品。Everspin旗下PERSYST产品线中的一款256Kb串行MRAM产品——MR25H256A，将被集成至Lucid的Gravity SUV车型中。Lucid之所以选择Everspin的MR25H256A MRAM型号，是因为它能够在较宽
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Everspin
Lucid Motors
MRAM
Gravity
SUV车型
1956 年，IBM 推出世界上第一个硬盘驱动器——RAMAC 305，可以存储 5MB 的数据，传输速度为 10K/s。虽然这款硬盘体积巨大如同两台冰箱，重量超过一吨，但是却标志着磁盘存储时代的开始。此后，随着科技的进步，内存技术逐渐发展。动态随机存取存储器（DRAM），具有较快的读写速度，能够满足计算机系统在运行过程中对数据的快速存取需求。固态硬盘（SSD）以其高速的读写性能、低功耗和抗震动等优点，逐渐取代传统磁盘成为主流存储设备之一。存储技术仍旧在持续发展，近年来新型存储技术如雨后春笋般涌现，诸如相
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磁变存储器
MRAM
台积电利用其自身先进的制程优势，正在积极推动新型存储产业的发展。
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MRAM
01 问题的描述某客户使用 STM32G071 芯片从 standby 模式下唤醒，想要 SRAM 的数据在退出 standby模式后得以保持。根据手册的描述，配置了相应的比特位，但是发现数据仍然保持不了。02 问题的复现根据客户的描述，以及 STM32G071 的最新版参考手册 RM0444 发现，在 standby 模式下，可以通过设置 PWR_CR3 的 RRS 比特位去控制 SRAM 的保持能力，相应的 API 接口函数为HAL_PWREx_EnableSRAMRetention()、HAL_PW
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STM32G071
standby
SRAM
M 是一种非易失性存储技术，通过磁致电阻的变化来表示二进制中的 0 和 1，从而实现数据的存储。由于产品本身具备非易失性，让其在断电情况下依然可以保留数据信息，并拥有不逊色于 DRAM 内存的容量密度和使用寿命，平均能耗也远低于 DRAM。被大厂看好的未来之星，非它莫属。三星：新里程碑目前三星仍然是全球专利第一，2002 年三星宣布研发 MRAM，2005 年三星率先研究 STT-MRAM，但是此后的十年间，三星对 MRAM 的研发一直不温不火，成本和工艺的限制，让三星的 MRAM 研发逐渐走向低调。20
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MRAM
多年来，各大厂商多年来孜孜不倦地追求闪存更高层数和内存更先进制程。现代社会已经进入大数据、物联网时代——一方面，数据呈爆炸式增长，芯片就必须需要具备巨大的计算能力 ；另一方面，依据传统摩尔定律微缩的半导体技术所面临的挑战越来越大、需要的成本越来越高、实现的性能提高也趋于放缓。应用材料公司金属沉积产品事业部全球产品经理周春明博士说：「DRAM、SRAM、NAND 这些传统的存储器，已经有几十年历史了，它们还在一直在向前发展，不断更新换代，尺寸越来越小，成本越来越低，性能越来越强。」但是已经开始出现无法超越的
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MRAM
ReRAM
PCRAM
据外媒报道，三星电子即将在国际电子器件会议（IEDM）上报告其在新一代非易失性存储器件领域的最新研究进展。会议接收的资料显示，三星研究人员在14nm FinFET逻辑工艺平台上实现了磁性隧道结堆叠的磁阻式随机存取存储器(MRAM)制造，据称是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存储器。该团队采用三星28nm嵌入式MRAM，并将磁性隧道结扩展到14nm FinFET逻辑工艺。三星研究人员将在12月召开的国际电子器件会议上就此进行报告。论文中提到，该团队生产了一个独立的存储器，其写入能量要求为每比特25pJ
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功耗
三星
MRAM
近年来，半导体先进制程微缩趋势带动下，加上AI人工智能、5G与AIoT等科技加速推进，3C设备、智慧家电、智慧汽车、智能城市到国防航天等领域都可以应用大量芯片记录海量数据。内存是所有微控制器嵌入式系统的主要组件，闪存（Flash）储存技术早已成为工控设备的主流配备。近年来，半导体先进制程微缩趋势带动下，加上AI人工智能、5G与AIoT等科技加速推进，3C设备、智慧家电、智慧汽车、智能城市到国防航天等领域都可以应用大量芯片记录海量数据。新一代嵌入式内存具有小体积、大容量、高效能等特性，可以满足庞大运算需求，
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工业储存
MRAM
SRAM正在通过与芝加哥Generative Design Field Lab的Autodesk软件，开始制造真正可用的3D打印原型曲柄。基于这种人工智能设计流程，我们可能会看到完全重新构想的SRAM曲柄投放市场。不容置疑的是，SRAM在这种新的设计方法中投入了大量精力，并且他们已经在真实的道路上，用这款电脑设计的山地车曲柄进行了的多次迭代测试……使用Autodesk，SRAM能够从空白开始，让人工智能根据曲柄组中的作用力和各种自动化制造过程，为原型曲柄组筛选出最佳的设计形式。到目前为止，似乎SRAM已经
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SRAM
3D打印
在如此庞大的资料储存、传输需求下，在DRAM、SRAM以及NAND Flash等传统记忆体已逐渐无法负荷，且再加上传统记忆体的制程微缩愈加困难的情况之下，驱使半导体产业转向发展更高储存效能、更低成本同时又可以朝制程微缩迈进的新兴记忆体。
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存储技术
MRAM
RRAM
PCRAM
像Nvidia这样的芯片巨头可以负担得起7nm技术，但初创公司和其他规模较小的公司却因为复杂的设计规则和高昂的流片成本而挣扎不已——所有这些都是为了在晶体管速度和成本方面取得适度的改善。格芯的新型12LP+技术提供了一条替代途径，通过减小电压而不是晶体管尺寸来降低功耗。格芯还开发了专门针对AI加速而优化的新型SRAM和乘法累加(MAC)电路。其结果是，典型AI运算的功耗最多可减少75%。Groq和Tenstorrent等客户已经利用初代12LP技术获得了业界领先的结果，首批采用12LP+工艺制造的产品将于
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AI
CNN
SRAM
CPU
芯片
引言自从几十年前首次推出FPGA以来，每种新架构都继续在采用按位（bit-wise）的布线结构。虽然这种方法一直是成功的，但是随着高速通信标准的兴起，总是要求不断增加片上总线位宽，以支持这些新的数据速率。这种限制的一个后果是，设计人员经常花费大量的开发时间来尝试实现时序收敛，牺牲性能来为他们的设计布局布线。传统的FPGA布线基于整个FPGA中水平和垂直方向上运行的多个独立分段互连线（segment），在水平和垂直布线的交叉点处带有开关盒（switch box）以实现通路的连接。通过这些独立段和开
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ATT
FCU
SRAM
FMAX
全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社（TSE：6723）今日宣布扩大其备受欢迎的IP的授权范围，帮助设计师能够在瞬息万变的行业中满足广泛的客户需求。自即日起，客户将可访问诸如尖端的7nm（纳米）SRAM和TCAM，以及领先的标准以太网时间敏感网络（TSN）等IP。此外，瑞萨电子正致力于打造包括PIM（内存处理）的系统IP，该技术首次在2019年6月的会议论文中提出，作为AI（人工智能）加速器引起广泛关注。利用这些IP，客户可迅速启动其先进的半导体器件开发项目，例如为领先的5G网络开发下一代AI芯
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IP
SRAM
全球各半导体大厂如三星、东芝、英特尔等摩拳擦掌竞相投入磁阻式随机存取存储器(MRAM)，准备在后摩尔定律世代一较高下。台湾清华大学研究团队最新发表以自旋流操控铁磁-反铁磁纳米膜层的磁性翻转，研究成果已于今年2月19日刊登于材料领域顶尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)。 MRAM为非挥发性存储器技术，断电时利用纳米磁铁所存储的数据不会流失，是“不失忆”的存储器。其结构如三明治，上层是自由翻转的铁磁层，可快速处理数据，底层则是钉锁住的铁磁层，可用作存储数据，两层中则有氧化层隔开。 其
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MRAM
DRAM
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